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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
37
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
30
读取速度,GB/s
13.2
17.8
写入速度,GB/s
8.4
15.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3628
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
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