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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB

总分
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

总分
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Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB

Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB 需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    22 left arrow 37
    左右 -68% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    19.1 left arrow 13.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.7 left arrow 8.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    37 left arrow 22
  • 读取速度，GB/s
    13.2 left arrow 19.1
  • 写入速度，GB/s
    8.4 left arrow 14.7
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2143 left arrow 3509

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较

Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
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Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
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内存RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
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内存RAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
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