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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
37
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
30
读取速度,GB/s
13.2
16.7
写入速度,GB/s
8.4
12.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3110
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
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