Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

总分
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

总分
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Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    37 left arrow 96
    左右 61% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    13.2 left arrow 11
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    8.4 left arrow 4.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    37 left arrow 96
  • 读取速度,GB/s
    13.2 left arrow 11.0
  • 写入速度,GB/s
    8.4 left arrow 4.8
  • 内存带宽,mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2143 left arrow 1062
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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