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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
96
左右 61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
11
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
4.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
96
读取速度,GB/s
13.2
11.0
写入速度,GB/s
8.4
4.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
1062
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
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