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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
66
左右 44% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
13.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
66
读取速度,GB/s
13.2
16.2
写入速度,GB/s
8.4
8.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
1985
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
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