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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
37
左右 -85% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.6
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
20
读取速度,GB/s
13.2
19.6
写入速度,GB/s
8.4
15.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3234
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
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Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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