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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
72
左右 49% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.5
13.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
72
读取速度,GB/s
13.2
14.5
写入速度,GB/s
8.4
8.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
1631
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
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Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
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