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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
62
左右 40% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
62
读取速度,GB/s
13.2
16.2
写入速度,GB/s
8.4
9.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
1772
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
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EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
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Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
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