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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston 9905734-022.A00G 16GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
37
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
34
读取速度,GB/s
13.2
15.7
写入速度,GB/s
8.4
12.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3142
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
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