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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston 9965600-027.A00G 16GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.2
9.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 -12% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
33
读取速度,GB/s
13.2
9.8
写入速度,GB/s
8.4
8.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2250
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
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