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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
37
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
36
读取速度,GB/s
13.2
14.8
写入速度,GB/s
8.4
12.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2711
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
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