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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
47
左右 21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
47
读取速度,GB/s
13.2
11.1
写入速度,GB/s
8.4
7.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
1967
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB RAM的比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
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