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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
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更快的读取速度,GB/s
19.5
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
37
读取速度,GB/s
13.2
19.5
写入速度,GB/s
8.4
12.4
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3355
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
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G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
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