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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
37
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
30
读取速度,GB/s
13.2
18.0
写入速度,GB/s
8.4
14.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3466
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
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Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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