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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
37
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
29
读取速度,GB/s
13.2
15.5
写入速度,GB/s
8.4
9.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2202
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
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Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
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