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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB

总分
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

总分
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Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB

Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB 需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB 需要考虑的原因
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 37
    左右 -32% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.5 left arrow 13.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.7 left arrow 8.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    37 left arrow 28
  • 读取速度，GB/s
    13.2 left arrow 16.5
  • 写入速度，GB/s
    8.4 left arrow 13.7
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2143 left arrow 3217

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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内存RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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内存RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
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