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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
37
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
22
读取速度,GB/s
13.2
17.5
写入速度,GB/s
8.4
12.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2960
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
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