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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
37
左右 -95% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
19
读取速度,GB/s
13.2
19.2
写入速度,GB/s
8.4
15.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3336
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston X75V1H-MIE 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
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