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Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB vs AMD R334G1339U2S 4GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
总分
AMD R334G1339U2S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.1
9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
4.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
AMD R334G1339U2S 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
41
左右 -41% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
41
29
读取速度,GB/s
13.1
9.0
写入速度,GB/s
8.7
4.8
内存带宽,mbps
12800
10600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2094
1726
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XK2M26-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
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Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
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