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Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Kingston 9905403-440.A00LF 4GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB vs Kingston 9905403-440.A00LF 4GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
总分
Kingston 9905403-440.A00LF 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston 9905403-440.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
41
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
13.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.1
8.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Kingston 9905403-440.A00LF 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
41
35
读取速度,GB/s
13.1
14.5
写入速度,GB/s
8.7
9.1
内存带宽,mbps
12800
10600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2094
2328
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
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