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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
比较
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
总分
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
总分
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
41
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
28
读取速度,GB/s
13.3
18.2
写入速度,GB/s
8.3
14.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2176
3633
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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