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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
比较
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
总分
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
41
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
32
读取速度,GB/s
13.3
20.0
写入速度,GB/s
8.3
15.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2176
3592
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
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