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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
比较
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
总分
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
41
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
33
读取速度,GB/s
13.3
15.6
写入速度,GB/s
8.3
11.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2176
2562
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
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