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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
比较
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
总分
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.3
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
41
左右 -46% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.3
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
28
读取速度,GB/s
13.3
12.9
写入速度,GB/s
8.3
10.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2176
2619
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
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Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
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