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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
比较
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Kingston 9965662-019.A00G 32GB
总分
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
总分
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.3
9.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
41
左右 -24% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.7
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
33
读取速度,GB/s
13.3
9.2
写入速度,GB/s
8.3
8.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2176
2175
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
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