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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
78
左右 64% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.5
6.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.4
12.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
78
读取速度,GB/s
12.7
13.4
写入速度,GB/s
7.5
6.6
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
1526
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HX318C10FK/4 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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