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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
52
左右 6% 更低的延时
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
52
读取速度,GB/s
10.9
16.4
写入速度,GB/s
8.7
13.7
内存带宽,mbps
17000
25600
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
2893
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
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