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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.7
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
25
读取速度,GB/s
12.7
18.7
写入速度,GB/s
7.5
15.6
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3702
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
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