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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
40
左右 30% 更低的延时
需要考虑的原因
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
8500
左右 3.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
40
读取速度,GB/s
12.7
15.0
写入速度,GB/s
7.5
16.0
内存带宽,mbps
8500
25600
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3119
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
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