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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
40
En 30% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.0
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
8500
En 3.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
40
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
16.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
25600
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3119
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
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