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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Compara
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Puntuación global
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
28
En 11% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
12.1
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR5
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
12.1
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3419
3420
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
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