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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
比较
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
总分
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.4
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
12.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
13.4
18.4
写入速度,GB/s
12.1
14.0
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3419
3420
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB RAM的比较
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
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