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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Confronto
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
28
Intorno 11% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.0
12.1
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR5
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
28
Velocità di lettura, GB/s
13.4
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
12.1
14.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3419
3420
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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