RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB

总分
star star star star star
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

总分
star star star star star
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB

Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB 需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 70
    左右 60% 更低的延时
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB 需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.3 left arrow 12.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.8 left arrow 7.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 8500
    左右 2.51 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    28 left arrow 70
  • 读取速度，GB/s
    12.7 left arrow 15.3
  • 写入速度，GB/s
    7.5 left arrow 8.8
  • 内存带宽，mbps
    8500 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1988 left arrow 1971

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB

Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
内存RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
内存RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
内存RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
内存RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
内存RAM
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
内存RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
内存RAM
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
内存RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
内存RAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
内存RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
内存RAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
内存RAM
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
内存RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
内存RAM