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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
28
左右 -56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.1
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
18
读取速度,GB/s
12.7
20.1
写入速度,GB/s
7.5
19.5
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3704
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
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