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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
54
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.8
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
32
读取速度,GB/s
9.2
11.8
写入速度,GB/s
8.1
13.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2844
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB RAM的比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
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