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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 15% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
33
读取速度,GB/s
12.7
16.2
写入速度,GB/s
7.5
11.8
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3114
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
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