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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
28
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
24
读取速度,GB/s
12.7
19.4
写入速度,GB/s
7.5
16.5
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
4063
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
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