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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
35
左右 20% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
35
读取速度,GB/s
12.7
16.1
写入速度,GB/s
7.5
14.8
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3423
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
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