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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
29
读取速度,GB/s
12.7
18.2
写入速度,GB/s
7.5
15.4
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3559
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
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Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMX16GX3M2A1600C11 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
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