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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
28
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
22
读取速度,GB/s
12.7
18.3
写入速度,GB/s
7.5
16.0
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3934
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
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