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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
40
左右 30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.7
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.5
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
40
读取速度,GB/s
12.7
9.3
写入速度,GB/s
7.5
6.4
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2117
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
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