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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
40
Autour de 30% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.7
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.5
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
40
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
9.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
6.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2117
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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