RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
65
Autour de -110% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
1,711.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
31
Vitesse de lecture, GB/s
4,018.7
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,711.1
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
513
3444
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Comparaison des RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link