RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
65
Wokół strony -110% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
1,711.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,018.7
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,711.1
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
3444
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link