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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
37
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
37
读取速度,GB/s
12.7
17.8
写入速度,GB/s
7.5
14.2
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3171
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston FQ453-80003 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
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