RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
37
Intorno 24% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.2
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
37
Velocità di lettura, GB/s
12.7
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
14.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3171
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link