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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
27
读取速度,GB/s
12.7
15.6
写入速度,GB/s
7.5
13.9
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2964
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
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Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
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