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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
28
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
22
读取速度,GB/s
12.7
18.4
写入速度,GB/s
7.5
14.4
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3255
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
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