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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
48
左右 42% 更低的延时
需要考虑的原因
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
48
读取速度,GB/s
12.7
16.5
写入速度,GB/s
7.5
11.2
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3207
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
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Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
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